장치 특성 평가

이 예제에서는 파라미터 선택이 표면 전위 기반 MOSFET 모델의 I-V 특성과 C-V 특성에 미치는 영향을 탐색하는 방법을 보여줍니다. MOSFET 특성 창을 열려면 MATLAB® 명령 창에 MOSFETParameterAnalyzer를 입력합니다.

Explore the impact of parameter choices on the I-V and C-V characteristics for a surface-potential-based p-channel LDMOS field-effect transistor model. To open the LDMOS Characteristics window, in the MATLAB® Command Window, run LDMOSParameterAnalyzer.

Explore the impact of parameter choices on the I-V and C-V characteristics for a surface-potential-based thermal MOSFET model. To open the Thermal Mosfet Characteristics window, in the MATLAB® Command Window, run MOSFETThermalParameterAnalyzer.

The generation of I-V and C-V characteristics for an NMOS transistor. Define the bias conditions for the gate-source and drain-source voltage sweeps and the types of plots to be generated by double-clicking the Define Sweep Parameters block. Then click on the "Generate plots" hyperlink in the model. The output capacitance, C_oss, is only shown for sweeps of the drain-source voltage. Note that the C-V characteristics can take several minutes each to generate.

이 예제에서는 절연 게이트 양극성 트랜지스터에 대한 Ic 대 Vce 곡선의 생성을 보여줍니다. 'Define Conditions (Vge and Vce)'로 레이블이 지정된 블록을 더블 클릭하여 게이트-이미터 전압으로 구성된 벡터와 최소 및 최대 컬렉터-이미터 전압을 정의합니다. 모델에서 하이퍼링크 'plot curves'를 클릭하여 시뮬레이션을 실행하고 시뮬레이션 결과를 플로팅합니다.

Generation of the Ic versus Vce curve for an IGBT at two different temperatures. To generate the plot, click on the hyperlink in the model labeled 'Plot IGBT curves'.

How the dynamic characteristics of an IGBT depend on its parameters. A prerequisite to matching dynamic characteristics to datasheet values or measured data is to set the parameters defining the static I-V curve. For this, see the 'IGBT Characteristics' example, IGBTCharacteristics. With static parameters correctly set, the dynamic parameters can then be set as follows:

Test harness can be used to validate the 'Simplified I-V characteristics and event-based timing' Modeling option of the Simscape™ Electrical™ N-Channel IGBT. This modeling option only requires I-V data corresponding to the on-state gate voltage, and models turn-on rise time and turn-off fall time by making collector-emitter voltage a linear function of simulation time. Advantages of this approach are faster simulation and easier parameterization.

Use Simscape™ Electrical™ detailed switching device models to create tabulated switching loss data. This tabulated data can then be used with the piecewise linear switching device component models to predict total losses in system models configured for fast and/or fixed-step simulation.

이 예제에서는 N-채널 MOSFET에 대한 특성 곡선의 생성을 보여줍니다. 'Define Conditions (Vg and Vds)'로 레이블이 지정된 블록을 더블 클릭하여 게이트 전압으로 구성된 벡터와 최소 및 최대 드레인-소스 전압을 정의합니다. 그런 다음 모델에서 하이퍼링크 plot results를 클릭합니다.

A comparison of nonlinear inductor behavior for different parameterizations. Starting with fundamental parameter values, the parameters for linear and nonlinear representations are derived. These parameters are then used in a Simscape™ model and the simulation outputs compared.

How modifying the equation coefficients of the Jiles-Atherton magnetic hysteresis equations affects the resulting B-H curve. The simulation parameters are configured to run four complete AC cycles with initial field strength (H) and magnetic flux density (B) both set to zero.

Calculation and confirmation of a nonlinear transformer core magnetization characteristic. Starting with fundamental parameter values, the core characteristic is derived. This is then used in a Simscape™ model of an example test circuit which can be used to plot the core magnetization characteristic on an oscilloscope. Model outputs are then compared to the known values.

이 예제에서는 NPN 양극성 트랜지스터에 대한 Ic 대 Vce 곡선의 생성을 보여줍니다. Define Conditions(Ib and Vce)로 레이블이 지정된 블록을 더블 클릭하여 베이스 전류로 구성된 벡터와 최소 및 최대 컬렉터-이미터 전압을 정의합니다. 테스트를 실행하고 모델에서 하이퍼링크 'plot curves'를 클릭하여 곡선의 플롯을 생성합니다.

Generation of the Ic versus Vce curve for a PNP bipolar transistor. Define the vector of base currents and minimum and maximum collector-emitter voltages by double clicking on the block labeled 'Define Conditions (Ib and Vce)'. Run the tests and generate plots of the curves by clicking in the model on hyperlink 'plot curves'.

Generation of the current versus voltage curve for a Schottky barrier diode. Define the vector of temperatures for which to plot the characteristics by double clicking on the block labeled 'Define Temperatures for Tests'. Run the tests and plot the I-V curves by clicking in the model on the hyperlink 'plot curves'.

Validation of the static behavior of the Thyristor block against its mask values. Mask values are closely related to datasheet values, and the thyristor block uses these values to calculate the coefficients of the equations used to model it.

Validation of the dynamic behavior of the Thyristor block against its mask values. Mask values are closely related to datasheet values, and the Thyristor block uses these values to calculate the coefficients of the equations used to model it. Double-click on each of the test subsystems for further information on the tests.

Convert a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) subcircuit into an equivalent Simscape™ component and compare the Spice and Simscape plots for some standard MOSFET characteristics, namely Id versus Vgs, Id versus Vds, Qiss/ Gate charge, Qoss/ Output charge, and Breakdown voltage. The subcircuit2ssc function converts all the subcircuit components inside a SPICE netlist file into one or more equivalent Simscape files.

Use the SPICE simulation results of a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) to set the parameter values of an N-Channel MOSFET (Lookup table-based) in Simscape™. Then, it compares the N-Channel MOSFET characteristics in Simscape with the SPICE netlist simulation results.

이 예제에서는 Simscape™ Electrical™ Motor & Drive(System Level) 블록을 파라미터화하기 위해 Motor-CAD에서 효율 맵 데이터를 가져오는 방법을 보여줍니다. 이를 통해 모터 드라이브의 신속한 시스템 수준 시뮬레이션이 가능할 뿐만 아니라 손실에 대해 정확한 예측을 수행할 수 있습니다.

Find design parameters that optimize a compound motor torque-speed curve to match the desired curve.

Import parameters from a Hitachi IGBT module and save them in an IGBT(Ideal, Switching) block. The Hitachi IGBT parameters are stored in an XML file in the hitachi format.

이 예제에서는 세탁기를 모델링하고 동작 시 결함을 발생시키는 방법을 보여줍니다. 특정 시간에 세탁기 급수에 결함이 발생하며, 이 예제에서는 다음 시나리오에 따라 시스템 응답을 모델링합니다. 전기 모터 스위치가 꺼지고 바깥쪽 통에 조금 채워진 물이 배출됨으로써 세탁기 동작이 중단됩니다.

이 예제에서는 ee.spice.semiconductorSubcircuit2lookup 함수를 사용하여 SPICE 분기회로의 SiC(실리콘 카바이드) MOSFET(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터)에 대한 룩업 테이블 데이터를 생성하고 Simscape™ Electrical™의 N-Channel MOSFET 블록을 파라미터화하는 방법을 보여줍니다.