ee_importDeviceParameters

Hitachi, Infineon 또는 Wolfspeed XML 파일에서 추출한 이상적 반도체 블록 파라미터화

R2021b 이후

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구문

ee_importDeviceParameters(file,"hitachi",blockPath)
ee_importDeviceParameters(file,"infineon",blockPath,GateResistanceOn=Rgon)
ee_importDeviceParameters(file,"infineon",blockPath,GateResistanceOn=Rgon,GateResistanceOff=Rgoff)
ee_importDeviceParameters(file,"wolfspeed",blockPath,GateResistanceOn=Rgon)
ee_importDeviceParameters(file,"wolfspeed",blockPath,GateResistanceOn=Rgon,GateResistanceOff=Rgoff)
ee_importDeviceParameters(___,Verbose=true)
ee_importDeviceParameters(___,Verbose=false)

설명

Hitachi 소자

ee_importDeviceParameters(file,"hitachi",blockPath)는 다이오드, IGBT(절연 게이트 양극성 트랜지스터) 또는 MOSFET(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터)에 대한, Hitachi에서 지원하는 형식의 데이터시트로부터 파라미터를 추출합니다. 이 구문은 지정된 blockPath에 있는 Simscape™ 블록으로 파라미터를 가져옵니다. XML 파일은 MATLAB® 경로에 있어야 합니다. 이 구문은 다음 블록을 지원합니다.

IGBT 소자와 다이오드 소자에 대한 Hitachi 데이터시트의 예는 Hitachi 웹사이트에서 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) and diode modules with SPT, SPT+, SPT++ and TSPT+ chips 페이지를 참조하십시오.

예제

Infineon 소자

ee_importDeviceParameters(file,"infineon",blockPath,GateResistanceOn=Rgon)은 Rgon으로 지정된 스위치온 게이트 저항 값을 갖는 다이오드에 대한, Infineon®에서 지원하는 형식의 데이터시트로부터 파라미터를 추출합니다. 이 구문은 지정된 blockPath에 있는 Diode 블록으로 파라미터를 가져옵니다. XML 파일은 MATLAB 경로에 있어야 합니다 (R2024b 이후).

ee_importDeviceParameters(file,"infineon",blockPath,GateResistanceOn=Rgon,GateResistanceOff=Rgoff)는 Rgon 및 Rgoff로 지정된 스위치온 및 스위치오프 게이트 저항 값을 갖는 IGBT에 대한 데이터시트로부터 파라미터를 추출합니다. 이 구문은 지정된 blockPath에 있는 Simscape 블록으로 파라미터를 가져옵니다. XML 파일은 MATLAB 경로에 있어야 합니다. 이 구문은 다음 블록을 지원합니다.

IGBT 소자에 대한 Infineon 데이터시트의 예는 Infineon 웹사이트에서 IGBTs – Insulated Gate Bipolar Transistors 페이지를 참조하십시오.

Wolfspeed 소자

R2025a 이후

ee_importDeviceParameters(file,"wolfspeed",blockPath,GateResistanceOn=Rgon)은 Rgon으로 지정된 스위치온 게이트 저항 값을 갖는 다이오드에 대한, Wolfspeed에서 지원하는 형식의 데이터시트로부터 파라미터를 추출합니다. 이 구문은 지정된 blockPath에 있는 Diode 블록으로 파라미터를 가져옵니다. XML 파일은 MATLAB 경로에 있어야 합니다.

참고

Wolfspeed 다이오드 XML 파일은 현재 역회복 에너지 손실을 상수 0으로 지정하므로 함수는 Rgon 값을 사용하지 않습니다. (R2025a 이후)

ee_importDeviceParameters(file,"wolfspeed",blockPath,GateResistanceOn=Rgon,GateResistanceOff=Rgoff)는 Rgon 및 Rgoff로 지정된 스위치온 및 스위치오프 게이트 저항 값을 갖는 MOSFET에 대한, Wolfspeed에서 지원하는 형식의 데이터시트로부터 파라미터를 추출합니다. 이 구문은 지정된 blockPath에 있는 Simscape 블록으로 파라미터를 가져옵니다. XML 파일은 MATLAB 경로에 있어야 합니다. 이 구문은 다음 블록을 지원합니다.

Wolfspeed 데이터시트의 예는 Wolfspeed 웹사이트에서 LTspice and PLECS Models 페이지를 참조하십시오.

추가 옵션

ee_importDeviceParameters(___,Verbose=true)는 XML 파일의 미사용 필드에 대한 경고도 활성화합니다.

ee_importDeviceParameters(___,Verbose=false)는 XML 파일의 미사용 필드에 대한 경고도 비활성화합니다.

예제

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파라미터를 가져다 놓을 블록을 선택합니다. IGBT (Ideal, Switching) 블록이 포함되어 있는 모델을 엽니다.

openExample("simscapeelectrical/ImportIGBTFromHitachiExample")

ee_import_igbt_device_parameters_data.xml 파일을 편집하여 내용을 검사합니다.

edit ImportIGBTFromHitachiData.xml

IGBT (Ideal, Switching) 블록을 클릭한 다음 ee_importDeviceParameters 함수를 호출합니다.

ee_importDeviceParameters("ImportIGBTFromHitachiData.xml","hitachi",gcb)

입력 인수

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파라미터를 가져와 추출할 XML 파일의 이름입니다.

Diode 블록, IGBT (Ideal, Switching) 블록 또는 MOSFET (Ideal, Switching) 블록을 파라미터화하려면 file을 대/소문자를 구분하여 문자열로 지정합니다.

Half-Bridge (Ideal, Switching) 블록을 파라미터화하려면 file을 셀형 배열 {file1,file2}로 지정합니다. 여기서 file1과 file2는 대/소문자가 구분되는 문자열입니다. file1은 스위칭 소자(IGBT 또는 MOSFET이어야 함)를 파라미터화하는 XML 파일입니다. file2는 일체형 보호 다이오드를 파라미터화하는 XML 파일입니다 (R2024b 이후).

예: ee_importDeviceParameters("ImportIGBTFromHitachiData.xml","hitachi",gcb)는 모델에서 클릭한 IGBT (Ideal, Switching) 블록을 Hitachi가 지원하는 형식의 ImportIGBTFromHitachiData.xml 파일 데이터로 파라미터화합니다.

예: ee_importDeviceParameters({"ImportIGBTFromHitachiData.xml","ImportDiodeFromHitachiData.xml"},"hitachi",gcb)는 모델에서 클릭한 Half-Bridge (Ideal, Switching) 블록을 Hitachi가 지원하는 형식의 데이터로 파라미터화합니다. 함수는 ImportIGBTFromHitachiData.xml을 사용하여 스위칭 소자의 파라미터를 가져오고, ImportDiodeFromHitachiData.xml을 사용하여 일체형 보호 다이오드의 파라미터를 가져옵니다.

파라미터 값을 가져다 놓을 Diode 블록, IGBT (Ideal, Switching) 블록, MOSFET (Ideal, Switching) 또는 Half-Bridge (Ideal, Switching) 블록의 블록 경로입니다.

R2024a 이후

Infineon 소자와 Wolfspeed 소자에 대한 스위치온 게이트 저항으로, 옴 단위로 지정됩니다.

Half-Bridge (Ideal, Switching) 블록의 경우 Rgon은 스위칭 소자(IGBT 또는 MOSFET이어야 함)의 스위치온 게이트 저항과 일체형 보호 다이오드를 나타냅니다.

"infineon" 입력 인수나 "wolfspeed" 입력 인수를 지정한 경우에만 이 인수를 사용할 수 있습니다.

R2024a 이후

Infineon MOSFET이나 Wolfspeed MOSFET에 대한 스위치오프 게이트 저항으로, 옴 단위로 지정됩니다. 함수는 이 값을 사용하여 IGBT (Ideal, Switching) 블록이나 MOSFET (Ideal, Switching) 블록을 파라미터화하거나 스위칭 소자의 파라미터를 Half-Bridge (Ideal, Switching) 블록으로 가져옵니다.

"infineon" 입력 인수나 "wolfspeed" 입력 인수를 지정한 경우에만 이 인수를 사용할 수 있습니다.

이 함수를 사용할 때 XML 파일의 미사용 필드에 대한 경고 활성화 옵션으로, true 또는 false로 지정됩니다.

팁

  • Infineon 데이터시트, Hitachi 데이터시트, Wolfspeed 데이터시트에 이 함수가 지원하는 블록의 모든 파라미터 값이 명시되어 있는 것은 아닙니다. 데이터시트에 값이 없는 경우 함수는 디폴트 블록 파라미터 값을 사용하며, 그러한 값에 % Parameter not set을 추가합니다. ee_importDeviceParameters 함수를 사용하여 파라미터화한 모델을 시뮬레이션한 후, 예상하던 결과를 얻지 못하는 경우 데이터와 더 잘 일치하도록 이러한 파라미터를 조정하십시오.

  • 보호 다이오드가 있는 IGBT 또는 MOSFET을 파라미터화하려면 다이오드를 외부에서 모델링합니다. ee_importDeviceParameters 함수를 두 번 호출합니다. 한 번은 IGBT (Ideal, Switching) 블록 또는 MOSFET (Ideal, Switching) 블록을 파라미터화하기 위한 것이고, 다른 한 번은 Diode 블록을 파라미터화하기 위한 것입니다.

  • 보호 다이오드가 있는 하프 브리지를 파라미터화하려면 다이오드를 Half-Bridge (Ideal, Switching) 블록 내부에서 모델링합니다. 스위칭 소자와 일체형 보호 다이오드를 파라미터화하려면 ee_importDeviceParameters 함수를 한 번 호출합니다.

  • Infineon 형식, Hitachi 형식, Wolfspeed 형식의 XML 파일은 테이블 형식의 스위칭 손실과 열 모델을 사용하여 이상적 스위칭 소자 모델을 파라미터화하는 데 사용할 수 있는 정보를 제공합니다. 다음과 같은 모델링 가정을 할 때는 ee_importDeviceParameters 함수를 사용하십시오.

    • 테이블 형식의 On 상태 I-V 곡선

    • 무전하 모델

    • 테이블 형식의 스위칭 손실

    • Foster 열 네트워크 또는 Cauer 열 네트워크

    이러한 모델링 가정을 변경하려면 블록을 파라미터화하는 다른 방법을 사용하십시오. 모델링 가정과 파라미터화 방법에 대한 자세한 내용은 Choose Blocks to Model Semiconductor Devices 항목을 참조하십시오.

  • Wolfspeed MOSFET XML 파일에는 3차원 스위치온 손실과 스위치오프 손실의 룩업 테이블에 대한 전류 축과 전압 축에 음수 값이 포함되어 있습니다. MOSFET (Ideal, Switching) 블록은 음수 전류 값에서의 스위칭 손실이 항상 0이라고 가정하므로 전류 축에 음수 값을 지원하지 않습니다. 따라서 이 함수는 이러한 음수 축 값과 이에 대응되는 스위치온 및 스위치오프 에너지 손실 데이터를 제거합니다. 블록은 음의 전압 축 값 사용을 지원하지만 이러한 전압 값에서의 스위칭 손실이 항상 0이라고 가정합니다. (R2025a 이후)

  • Wolfspeed MOSFET XML 파일은 스위치온 및 스위치오프 손실 룩업 테이블에 대해 서로 다른 온도(Tj) 축 값을 지정할 수 있습니다. MOSFET (Ideal, Switching) 블록과 Half-Bridge (Ideal, Switching) 블록은 이러한 룩업 테이블에 대해 서로 다른 Tj 축 값을 지원하지 않으므로, 이 함수는 스위치온 및 스위치오프 손실 룩업 테이블의 선형 보간을 수행하여 동일한 공통 Tj 축을 공유하도록 합니다. (R2025a 이후)

  • MOSFET, 바디 다이오드, 독립형 다이오드 부품에 대한 Wolfspeed XML 파일은 Cauer 열 네트워크에 대한 파라미터를 지정합니다. (R2025a 이후)

  • Wolfspeed XML 파일은 각각 턴온 게이트 저항과 턴오프 게이트 저항에 따라 달라지는, 스위치온 손실 룩업 테이블과 스위치오프 손실 룩업 테이블의 스케일링 인자를 결정하는 공식을 지정합니다. (R2025a 이후)

  • MOSFET의 바디 다이오드와 독립형 다이오드 부품에 대한 Wolfspeed XML 파일은 현재 역회복 손실을 0으로 지정합니다. (R2025a 이후)

  • Wolfspeed XML 파일이 스위치온 및 스위치오프 손실 계산에 동일한 게이트 저항 값을 사용하는 경우, ee_importDeviceParameters 함수는 GateResistanceOn 인수와 GateResistanceOff 인수의 값을 계산에 사용합니다. (R2025a 이후)

  • Wolfspeed XML 파일에 전류 벡터의 값에 따라 단조 증가하지 않는 On 상태 전압 룩업(Von(Tj,I)) 값이 포함되어 있는 경우, ee_importDeviceParameters 함수는 On 상태 전압 강하 룩업 테이블에서 유효하지 않은 값이 포함된 열을 제거하고 전류 벡터에서 대응되는 요소를 제거합니다. (R2025a 이후)

버전 내역

R2021b에 개발됨

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참고 항목

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