Mosfet
MOSFET 모델 구현
라이브러리:
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Power Electronics
설명
MOSFET(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터)는 게이트 신호(g > 0)로 제어할 수 있는 반도체 소자입니다. MOSFET 소자는 내부 다이오드와 병렬로 연결되는데, 이 다이오드는 MOSFET 소자가 역방향 바이어스 상태이고(Vds < 0) 적용된 게이트 신호가 없을 때(g = 0) 켜집니다. 모델은 다이오드가 병렬로 연결된 상태에서 논리 신호(g > 0 또는 g = 0)에 의해 제어되는 이상적인 스위치로 시뮬레이션됩니다.
MOSFET 소자는 드레인-소스 전압이 양이든 음이든 상관없이 게이트 입력에 양의 신호가 적용될 때(g > 0) 켜집니다. 게이트 입력에 적용된 신호가 없을 경우(g = 0) 전압이 순방향 전압 Vf를 초과할 때 내부 다이오드만 전도됩니다.
소자에 양의 전류나 음의 전류가 흐르는 경우 게이트 입력이 0이 되면 MOSFET이 꺼집니다. 전류 I가 음이고 내부 다이오드에 흐르는 경우(게이트 신호가 없거나 g = 0) 전류 I가 0이 되면 스위치가 꺼집니다.
On 상태 전압 Vds는 다음에 따라 다릅니다.
Vds = Ron*I, 게이트 입력에 양의 신호가 적용될 때
Vds = Rd*I-Vf +Lon*dI/dt, 역병렬 다이오드가 전도 중일 때(게이트 신호 없음)
Lon 다이오드 인덕턴스는 연속 모델에서만 사용할 수 있습니다. 대부분의 응용 사례에서는 연속 모델과 이산 모델 모두에 대해 Lon을 0으로 설정해야 합니다.
또한 MOSFET 블록에는 MOSFET와 병렬로 연결(노드 d와 s 사이)할 수 있는 직렬 Rs-Cs 스너버 회로가 포함되어 있습니다.
가정 및 제한 사항
MOSFET 블록은 실제 MOSFET 소자의 매크로 모델을 구현합니다. 이 블록에서는 소자의 기하학적 구조나 복잡한 물리적 과정을 고려하지 않습니다[1].
MOSFET는 인덕턴스 Lon의 값에 따라 전류원(Lon > 0) 또는 가변 토폴로지 회로(Lon = 0)로 모델링됩니다. 스너버 회로를 사용하지 않는 이상 MOSFET 블록을 인덕터, 전류원 또는 개방 회로와 직렬로 연결할 수 없습니다.
회로를 이산화하는 경우에는 인덕턴스 Lon이 0으로 강제 설정됩니다.
포트
입력
출력
보존
파라미터
참고 문헌
[1] Mohan, N., T.M. Undeland, and W.P. Robbins, Power Electronics: Converters, Applications, and Design, John Wiley & Sons, Inc., New York, 1995.
확장 기능
버전 내역
R2006a 이전에 개발됨
참고 항목
Diode | GTO | Ideal Switch | Three-Level Bridge | Thyristor | Universal Bridge