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장치 특성 평가
R2026a예제를 통해 파라미터 선택이 장치의 특성에 어떤 영향을 미치는지 알아봅니다.
추천 예제
Characterize Condenser Microphone Model
Characterize a condenser microphone model using the Variable Gap Capacitor block.
대화형 방식으로 MOSFET 특성 생성
이 예제에서는 파라미터 선택이 표면 전위 기반 MOSFET 모델의 I-V 특성과 C-V 특성에 미치는 영향을 탐색하는 방법을 보여줍니다. MOSFET 특성 창을 열려면 MATLAB® 명령 창에 MOSFETParameterAnalyzer를 입력합니다.
대화형 방식으로 LDMOS 특성 생성
이 예제에서는 파라미터 선택이 표면 전위 기반 p-채널 LDMOS 전계 효과 트랜지스터 모델의 I-V 특성과 C-V 특성에 미치는 영향을 탐색하는 방법을 보여줍니다. LDMOS 특성 창을 열려면 MATLAB® 명령 창에서 LDMOSParameterAnalyzer를 실행합니다.
대화형 방식으로 열 MOSFET 특성 생성
이 예제에서는 파라미터 선택이 표면 전위 기반 열 MOSFET 모델의 I-V 특성과 C-V 특성에 미치는 영향을 탐색하는 방법을 보여줍니다. 열 MOSFET 특성 창을 열려면 MATLAB® 명령 창에서 MOSFETThermalParameterAnalyzer를 실행합니다.
MOSFET Characterization Using Y Parameters
The generation of I-V and C-V characteristics for an NMOS transistor. Define the bias conditions for the gate-source and drain-source voltage sweeps and the types of plots to be generated by double-clicking the Define Sweep Parameters block. Then click on the "Generate plots" hyperlink in the model. The output capacitance, C_oss, is only shown for sweeps of the drain-source voltage. Note that the C-V characteristics can take several minutes each to generate.
IGBT 특성
이 예제에서는 절연 게이트 양극성 트랜지스터에 대한 Ic 대 Vce 곡선의 생성을 보여줍니다. 'Define Conditions (Vge and Vce)'로 레이블이 지정된 블록을 더블 클릭하여 게이트-이미터 전압으로 구성된 벡터와 최소 및 최대 컬렉터-이미터 전압을 정의합니다. 모델에서 하이퍼링크 'plot curves'를 클릭하여 시뮬레이션을 실행하고 시뮬레이션 결과를 플로팅합니다.
IGBT Thermal Characteristics
Generation of the Ic versus Vce curve for an IGBT at two different temperatures. To generate the plot, click on the hyperlink in the model labeled 'Plot IGBT curves'.
IGBT Dynamic Characteristics
How the dynamic characteristics of an IGBT depend on its parameters. A prerequisite to matching dynamic characteristics to datasheet values or measured data is to set the parameters defining the static I-V curve. For this, see the 'IGBT Characteristics' example, IGBTCharacteristics. With static parameters correctly set, the dynamic parameters can then be set as follows:
IGBT 동작 모델
이 예제의 테스트 하네스를 사용하면 Simscape™ Electrical™ N-채널 IGBT의 '단순화된 I-V 특성 및 이벤트 기반 시간 설정' 모델링 옵션을 검증할 수 있습니다. 이 모델링 옵션은 On 상태 게이트 전압에 대응하는 I-V 데이터만 필요로 하며, 컬렉터-이미터 전압을 시뮬레이션 시간의 선형 함수로 만들어 턴온 상승 시간과 턴오프 하강 시간을 모델링합니다. 이 접근법의 이점은 시뮬레이션 속도가 더 빠르고 파라미터화가 용이하다는 것입니다.
IGBT 손실 특성
이 예제에서는 Simscape™ Electrical™의 상세한 스위칭 소자 모델을 사용하여 스위칭 손실 데이터를 테이블 형식으로 만드는 방법을 보여줍니다. 이 테이블 형식의 데이터는 이어서 조각별 선형 스위칭 소자 컴포넌트 모델과 함께 사용되어 빠른 시뮬레이션 및/또는 고정 스텝 시뮬레이션용으로 구성된 시스템 모델의 총 손실을 예측할 수 있습니다.
MOSFET 특성
이 예제에서는 N-채널 MOSFET에 대한 특성 곡선의 생성을 보여줍니다. 'Define Conditions (Vg and Vds)'로 레이블이 지정된 블록을 더블 클릭하여 게이트 전압으로 구성된 벡터와 최소 및 최대 드레인-소스 전압을 정의합니다. 그런 다음 모델에서 하이퍼링크 plot results를 클릭합니다.
Nonlinear Inductor Characteristics
A comparison of nonlinear inductor behavior for different parameterizations. Starting with fundamental parameter values, the parameters for linear and nonlinear representations are derived. These parameters are then used in a Simscape™ model and the simulation outputs compared.
Inductor with Hysteresis
How modifying the equation coefficients of the Jiles-Atherton magnetic hysteresis equations affects the resulting B-H curve. The simulation parameters are configured to run four complete AC cycles with initial field strength (H) and magnetic flux density (B) both set to zero.
Nonlinear Transformer Characteristics
Calculation and confirmation of a nonlinear transformer core magnetization characteristic. Starting with fundamental parameter values, the core characteristic is derived. This is then used in a Simscape™ model of an example test circuit which can be used to plot the core magnetization characteristic on an oscilloscope. Model outputs are then compared to the known values.
NPN 양극성 트랜지스터 특성
이 예제에서는 NPN 양극성 트랜지스터에 대한 Ic 대 Vce 곡선의 생성을 보여줍니다. Define Conditions(Ib and Vce)로 레이블이 지정된 블록을 더블 클릭하여 베이스 전류로 구성된 벡터와 최소 및 최대 컬렉터-이미터 전압을 정의합니다. 테스트를 실행하고 모델에서 하이퍼링크 'plot curves'를 클릭하여 곡선의 플롯을 생성합니다.
PNP 양극성 트랜지스터 특성
이 예제에서는 PNP 양극성 트랜지스터에 대한 Ic 대 Vce 곡선의 생성을 보여줍니다. Define Conditions(Ib and Vce)로 레이블이 지정된 블록을 더블 클릭하여 베이스 전류로 구성된 벡터와 최소 및 최대 컬렉터-이미터 전압을 정의합니다. 테스트를 실행하고 모델에서 하이퍼링크 'plot curves'를 클릭하여 곡선의 플롯을 생성합니다.
Schottky Barrier Diode Characteristics
Generation of the current versus voltage curve for a Schottky barrier diode. Define the vector of temperatures for which to plot the characteristics by double clicking on the block labeled 'Define Temperatures for Tests'. Run the tests and plot the I-V curves by clicking in the model on the hyperlink 'plot curves'.
Thyristor Static Behavior Validation
Validation of the static behavior of the Thyristor block against its mask values. Mask values are closely related to datasheet values, and the thyristor block uses these values to calculate the coefficients of the equations used to model it.
Thyristor Dynamic Behavior Validation
Validation of the dynamic behavior of the Thyristor block against its mask values. Mask values are closely related to datasheet values, and the Thyristor block uses these values to calculate the coefficients of the equations used to model it. Double-click on each of the test subsystems for further information on the tests.
SPICE Conversion of a MOSFET Subcircuit and Validation
Convert a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) subcircuit into an equivalent Simscape™ component and compare the Spice and Simscape plots for some standard MOSFET characteristics, namely Id versus Vgs, Id versus Vds, Qiss/ Gate charge, Qoss/ Output charge, and Breakdown voltage. The subcircuit2ssc function converts all the subcircuit components inside a SPICE netlist file into one or more equivalent Simscape files.
Parameterize a Lookup Table-Based MOSFET from SPICE
Use the SPICE simulation results of a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) to set the parameter values of an N-Channel MOSFET (Lookup table-based) in Simscape™. Then, it compares the N-Channel MOSFET characteristics in Simscape with the SPICE netlist simulation results.
세탁기 결함 분석
이 예제에서는 세탁기를 모델링하고 동작 시 결함을 발생시키는 방법을 보여줍니다. 특정 시간에 세탁기 급수에 결함이 발생하며, 이 예제에서는 다음 시나리오에 따라 시스템 응답을 모델링합니다. 전기 모터 스위치가 꺼지고 바깥쪽 통에 조금 채워진 물이 배출됨으로써 세탁기 동작이 중단됩니다.
SPICE의 시뮬레이션 결과를 사용한 SiC MOSFET 파라미터화
이 예제에서는 ee.spice.semiconductorSubcircuit2lookup 함수를 사용하여 SPICE 분기회로의 SiC(실리콘 카바이드) MOSFET(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터)에 대한 룩업 테이블 데이터를 생성하고 Simscape™ Electrical™의 N-Channel MOSFET 블록을 파라미터화하는 방법을 보여줍니다.
