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SPICE의 시뮬레이션 결과를 사용한 SiC MOSFET 파라미터화

R2026a
모델 열기

이 예제에서는 ee.spice.semiconductorSubcircuit2lookup 함수를 사용하여 SPICE 분기회로의 SiC(실리콘 카바이드) MOSFET(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터)에 대한 룩업 테이블 데이터를 생성하고 Simscape™ Electrical™의 N-Channel MOSFET 블록을 파라미터화하는 방법을 보여줍니다.

SiC MOSFET 분기회로 열기

이 분기회로에는 Infineon® 1200V SiC Power MOSFET IMBG120R045M1의 SPICE 모델이 포함되어 있습니다. 분기회로를 열려면 MATLAB® 명령 프롬프트에 edit Infineon-IMBG120R030M1.lib를 입력합니다. 제조업체 웹사이트에서 필요한 모델을 포함하고 있는 SPICE 라이브러리를 다운로드할 수 있습니다.

함수 입력 인수에 필요한 룩업 테이블 파라미터 설정하기

ee.spice.semiconductorSubcircuit2lookup 함수를 실행하려면 대응하는 분기회로 파일 경로, 분기회로 이름, 이름-값 인수 쌍을 지정하여 소자를 특징지어야 합니다. 자세한 내용은 ee.spice.semiconductorSubcircuit2lookup 도움말 문서 페이지를 참조하십시오.

SPICE 분기회로 파일에서 룩업 테이블 데이터 생성하기

ee.spice.semiconductorSubcircuit2lookup 함수를 사용하여 SiC MOSFET 채널 특성, 다이오드 특성, 커패시턴스 특성을 생성합니다.

N-채널 MOSFET(룩업 테이블 기반) 모델 열기

모델 SiCMOSFETFromSPICEResults.slx를 엽니다.

N-채널 MOSFET(룩업 테이블 기반) 모델에 대한 룩업 테이블 파라미터 설정하기

생성된 룩업 테이블 데이터를 사용하여 모델의 N-채널 MOSFET(룩업 테이블 기반)을 파라미터화할 수 있습니다.

특성 비교

아래의 플롯들은 N-채널 MOSFET(룩업 테이블 기반)의 전달 특성, 다이오드 특성, 커패시턴스 특성을 SPICE 분기회로 시뮬레이션 결과와 비교한 것입니다.

N-채널 MOSFET(룩업 테이블 기반) 모델은 SPICE 분기회로 결과와의 비교를 통해 Power MOSFET IMBG120R045M1을 검증합니다.

참고 항목

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도움말 항목